

La conferinta tinuta acum ceva vreme la New York, cei de la Qualcomm au facut mai mult decat sa ne dea detalii despre noul lor SoC – Snapdragon 835.
Compania a anuntat de asemenea un update important, pentru tehnologia de productie proprie – Quick Charge. Pentru huse telefoane de cea mai buna calitate, intra pe MagazinGsm.ro.
Quick Charge 4 promite o incarcare a device-urilor mobile cu pana la 20% mai rapida si cu 30% mai eficienta energetic, decat in cazul Quick Charge 3. Aceasta ultima generatie a tehnologiei Quick Charge aduce un numar important de imbunatatiri majore, dar probabil schimbarea cea mai remarcabila este ca tehnologia in sine, va fi compatibila cu standardul USB-IF.
Implementarile precedente ale acestei tehnologii de la Qualcomm, alterau voltajul transmis prin Vbus, pentru cresterea ratei de incarcare, lucru ce “viola” specificatiile standardului Type-C.
De asemenea, se foloseau metode diferite de negociere a parametrilor folosind linii de date USB, ce ocoleau specificatiile USB-Type C. Quick Charge 4 vine sa rezolve aceste probleme, adaugand o compatibilitate sporita cu sistemul de operare Android 7.0 Nougat.
Quick Charge 4 foloseste de asemenea o versiune mai recenta a Qualcomm INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), un algoritm de power-management foarte eficient, care acum poate include management in timp real, pentru optimizarea transferului de energie.
In acelasi timp, versiunea de tehnologie pentru managementul bateriei, a primit si ea update-uri importante, fiind capabila sa mentina o baterie la cel putin 80% din capacitatea initiala, chiar si dupa 500 de cicluri de incarcare.
“Sanatatea” bateriei – battery health-ul, a devenit un concept foarte important, o data cu problemele aparute pe device-ul Samsung Galaxy Note 7. Era natural ca cei de la Qualcomm sa doreasca imbunatatirea propriilor tehnologii in acest sens, iar la prezentarea de la New York, Qualcomm a tinut sa afirme evolutia acestor tehnologii, o evolutie axata in primul rand pe siguranta utilizatorului.
Tehnologia Quick Charge 4 suporta supra-voltaj (over voltage), over-current si 4 niveluri de over-temperature (perioade scurte de depasire a temperaturilor acceptate/suportate), inclusiv pentru sasiu (carcasa) si baterie.
De asemenea, tehnologia in sine poate detecta si verifica tipul si calitatea cablului ce se foloseste la incarcare, adaugand o protectie sporita (prin soft), in cazul in care se constata ca acest cablu este unul ineficient.
Qualcomm declara ca o astfel de protectie este implementata pe mai multe niveluri, pe intregul parcurs al procesului de incarcare, incepand cu 0% – incarcare 0, pana la 100% – incarcarea maxima.
Protectia masoara prin anumiti senzori, toti parametri importanti din procesul de incarcare, asa cum ar fi voltajul, curentul, temperatura bateriei, starea sistemului, calitatea cablului si a conectorilor folositi.
Tehnologia Quick Charge 4 de la Qualcomm, va fi disponibila pe toate device-urile (in general flagship-uri), ce vor folosi procesorul Snapdragon 835, cu 2 versiuni de power management diferite sau IC-uri (PMICs), SMB1380 si respectiv SMB1381.
Noile PMIC-uri vor lucra astfel in tandem, ca parte a tehnologiei Dual Charge++, ce va asigura o eficienta crescuta si anume peste 95% la 3A (amperi). PMIC-urile vor fi disponibile incepand cu ultima parte a anului 2016 si vor fi integrate in device-urile lansate in 2017.